پاورپوینت الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال و ترانزیستور

دانلود پاورپوینت با موضوع الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال و ترانزیستور،

در قالب ppt و در 77 اسلاید، قابل ویرایش.

ترانزیستورهای MOS
بدلیل اینکه میتوان تعداد زیادی از آنها را در یک مدار مجتمع جاداد و
همچنین بدلیل سهوات نسبی قرایند ساخت آنها بصورت گسترده ای در مدارات
دیجیتال مورد استفاده هستند.
امروزه میتوان ده ها میلیارد ترانزیستور را در یک مدار مجتمع نمود.
ترانزیستور MOS
نواحی
سورس و درین با ایجاد دو نیمه هادی نوع n با دوپینگ بالا از طریق
فرایندهای نفوز و یا کاشت یونی در داخل یک نیمه هادی پایه p که بدنه نامیده
میشود بوجود می آیند.
یک لایه نازک Sio2 ( تقریبا 50 آنگستروم) برروی ناحیه کشیده میشود که اکسید گیت نامیده میشود.
لایه ای از یک ماده رسانا نظیر پلی سیلیکون بر روی اکسید گیت کشیده میشود.
ترانزیستورهای MOS با استفاده از اکسید ضخیم SIO2  و دیودهای معکوس pn+ از همدیگر جدا میشوند.
Cross-Section of CMOS Technology
Threshold Voltage: Concept
مقدمه
در
فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی کردیم. در این فصل و فصل
بعدی المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد.
ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد.
اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند.
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
MOSFET ازBJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.