دانلود پاورپوینت با موضوع ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی ،
در قالب ppt و در 18 اسلاید، قابل ویرایش، شامل:
فهرست:
مقدمه ای بر نانولوله های کربنی
روش های ساخت نانو لوله های کربنی
CNTFET با گیت پشتی
CNTFET با گیت بالا
CNTFET با گیت دور نانو لوله
مراحل ساخت CNTFETگيت دور نانولوله
مشکلات CNTFET
مقايسه پارامترهای كليدی ترانزيستورهای اثر ميدان مبتنی بر نانولوله های كربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET
بررسی تئوری جريان درين در ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربنی گيت
کاربرد :ساخت گیت NOT با CNTFET
کاربردCNTFET در سنسور گاز
نتیجه گیری
بخشی از متن پاورپوینت:
روش های ساخت نانو لوله های کربنی
تخلیه الکتریکی پلاسما
در این روش جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند .که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود .در این صورت بیش از 30 درصد خاکستر تولید شده نانو لوله های کربنی هستند.
نشست شیمیایی بخار
در این روش یک گاز حاوی کربن آن قدر گرم می شود تا ملکول های گاز شروع به تجزیه شدن ،کنند.در این حالت یک زیرلایه در حضور کاتالیزگر در معرض گاز قرار می گیرد .اتم های کربن بر روی زیرلایه و در نزدیکی دانه بلور نیمه رسانا (seed) که از قبل بر روی زیر لایه قرار داده شده جمع می شوند و تا وقتی که زیرلایه در معرض گاز باشد رشد نانولوله های کربنی ادامه دارد
بخیر لیزر
این روش مشابه روش اول است با این تفاوت که در این روش از لیزر برای بمباران کردن یک هدف گرافیتی استفاده می شود. با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد.
دانلود فایل”پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی”