برچسب: تحقیق در مورد ساخ

هسته ترانسفورماتور:

هسته ترانسفورماتور متشكل از ورقه هاي نازك است كه سطح آنها با توجه به قدرت ترانسفورماتور ها محاسبه مي شود. براي كم كردن تلفات آهني هسته ترانسفورماتور را نمي توان به طور يكپارچه ساخت. بلكه معمولا آنها را از ورقه هاي نازك فلزي كه نسبت به يكديگر عايق‌اند، مي سازند. اين ورقه ها از آهن بدون پسماند با آلياژي از سيليسيم (حداكثر 4.5 درصد) كه داراي قابليت هدايت الكتريكي و قابليت هدايت مغناطيسي زياد است ساخته مي شوند.

در اثر زياد شدن مقدار سيليسيم ، ورقه‌هاي دينام شكننده مي شود. براي عايق كردن ورقهاي ترانسفورماتور ، قبلا از يك كاغذ نازك مخصوص كه در يك سمت اين ورقه چسبانده مي شود، استفاده مي كردند اما امروزه بدين منظور در هنگام ساختن و نورد اين ورقه ها يك لايه نازك اكسيد فسفات يا سيليكات به ضخامت 2 تا 20 ميكرون به عنوان عايق در روي آنها مي مالند و با آنها روي ورقه ها را مي پوشانند. علاوه بر اين ، از لاك مخصوص نيز براي عايق كردن يك طرف ورقه ها استفاده مي شود. ورقه هاي ترانسفورماتور داراي يك لايه عايق هستند.

بنابراين ، در مواقع محاسبه سطح مقطع هسته بايد سطح آهن خالص را منظور كرد. ورقه‌هاي ترانسفورماتورها را به ضخامت هاي 0.35 و 0.5 ميلي متر و در اندازه هاي استاندارد مي سازند. بايد دقت كرد كه سطح عايق شده ى ورقه هاي ترانسفورماتور همگي در يك جهت باشند (مثلا همه به طرف بالا) علاوه بر اين تا حد امكان نبايد در داخل قرقره فضاي خالي باقي بماند. لازم به ذكر است ورقه ها با فشار داخل قرقره جاي بگيرند تا از ارتعاش و صدا كردن آنها نيز جلوگيري شود.

ساختمان های پیش ساخته:

اگر چه ما از دیر باز به نفوذ فنون در سایر زمینه نای زندگی انس گرفته ایم، ولی نفوذ فنون به عرصه معماری هنوز موجب نگرانی معماران می باشد و این سوال را برای آنان مطرح می کند که آیا طرح ریزی عقلانی و عینی و استفاده از سیستم های فنی در معماری اصولا این امکان را برای معماران باقی می گذارد که علاوه بر هویت مهندسی شخص خود هویت معماریشان هم حفظ شود یا نه؟ پاسخ این سوال که چندان تازه هم نیست در اندیشه و افکار پیشتازان معماری نوین به این صورت تبلور یافته که یک مهندس معمار نه تماما مهندس فن است و نه تماما یک هنرمند، زمانی می توان گفت یک مهندس معمار بر حرفه خود مسلط است که داده های فنون را به طور کامل جذب کند و به علاوه قدرت هنری اش به او اجازه خلق فضاهایی را دهد که به راحتی قابل درک و تجربه باشند. مهم، ترجیح یکی از این دو توانایی مهندس معمار بر دیگری نیست، بلکه ترکیب این دو به منظور دستیابی به یک نتیجه درخور دارای اهمیت است. وقتی یک مهندس معمار تعهدی کلی را قبول می کند، معماری وی، یک معماری جامع می شود، چرا که باید کلیه جوانب کار_ چه هنر وچه فن_ را مد نظر قرار دهد. به کار گرفتن سیستم های ساختمانی در مرحله اول کار مستلزم تحلیل عملکرد و امکانات فنی اجرا می باشد و در مرحله دوم به کمال مهارت خلاقه معمار در تعبیر این داده ها بستگی دارد تا بتواند سیستم های مناسبی برگزیند. این روال کار به طور اجتناب پذیری به خلق اثر جامع معماری می انجامد که در چنین حالتی دیگر نمی توان بین چگونگی عملکرد، اجرا و کاربری یک بنا، ترجیحی قائل شد.

« ساختمان پیش ساخته » نتیجه چنین دیدگاهی است،  دیدگاهی که فراتر از بعد صرفا طراحی معماری ، کل ساختمان از طرح تا اجرا را به صورت یک کل واحد دیده و در آن طراحی با مسائل فنی و اجرائی کاملا پیوند می خورد و مجموعه ای یکپارچه از معماری و سازه فراهم می شود.

فهرست:

فصل اول : ساختارهاي دورآلاييده

مقدمه 

1-1 نيمه رسانا 

1-2 نيمه رسانا با گذار مستقيم و غير مستقيم 

1-3 جرم موثر 

1-4 نيمه رساناي ذاتي 

1-5 نيمه رساناي غير ذاتي و آلايش 

1-6 نيمه رساناهاي Si و Ge 

1-7 رشد بلور 

1-7-1 رشد حجمي بلور 

1-7-2 رشد رونشستي مواد 

1-7-3 رونشستي فاز مايع 

1-7-4 رونشستي فاز بخار 

1-7-5 رونشستي پرتو مولکولي 

1-8 ساختارهاي ناهمگون

 1-9 توزيع حالت‌هاي انرژي الکترون‌ها در چاه کوانتومي

1-10 انواع آلايش 

1-10-1 آلايش کپه¬اي 

1-10-2 آلايش مدوله شده (دورآلاييدگي) 

1-10-3 گاز الکتروني دوبعدي 

1-10-4 گاز حفره¬اي دوبعدي

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهاي دور آلاييده 

1-11-1 انواع ساختارهاي دورآلاييده به¬¬لحاظ ترتيب رشد لايه¬ها

1-11-2 انواع ساختار دور آلاييده به لحاظ نوع آلاييدگي ( n يا p ) 

1-11-3 انواع ساختار دور آلاييده دريچه¬دار 

1-12 کاربرد ساختارهاي دور آلاييده

1-12-1 JFET 

1-12-2 MESFET 

1-12-3 MESFET پيوندگاه ناهمگون 

فصل دوم : اتصال فلز نيمه رسانا (سد شاتکي)

مقدمه 

2-1 شرط ايده آل و حالتهاي سطحي 

2-2 لايه تهي 

2-3 اثر شاتکي 

2-4 مشخصه ارتفاع سد

2-4-1 تعريف عمومي و کلي از ارتفاع سد

2-4-2 اندازه گيري ارتفاع سد 

2-4-3 اندازه گيري جريان – ولتاژ 

2-4-4 اندازه گيري انرژي فعال سازي 

2-4-5 اندازه گيري ولتاژ- ظرفيت  

2-4-6 تنظيم ارتفاع سد  

2-4-7 کاهش سد  

2-4-8 افزايش سد

2-5 اتصالات يکسوساز .

2-6 سدهاي شاتکي نمونه 

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده

مقدمه

 3-1 ساختار دور آلاييده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .

3-2 ساختار نوار ظرفيت ساختار دور آلاييده معکوسp-Si/SiGe/Si  

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهاي دور آلاييده.  

3-3-1 آلايش مدوله شده ايده¬آل  

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالي سطحي حاملها  

3-3-3 اثر بارهاي سطحي بر چگالي گاز حفره¬اي

3-4 روشهاي کنترل چگالي سطحي حاملها  

3-4-1 تاثير تابش نور بر چگالي سطحي حاملها  

3-4-2 تاثير ضخامت لايه پوششي بر چگالي سطحي حاملها  

3-4-3 دريچه دار کردن ساختار دور آلاييده 

3-5 ساختارهاي دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si با دريچه بالا  

3-6 انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده معکوس با دريچه بالا

3-7 تاثير باياسهاي مختلف بر روي چگالي سطحي ¬حفره¬ها  

3-8 ملاحظات تابع موج.  

3-9 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي بي دريچه  

3-10 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي دريچه¬دار  

فصل چهارم : نتايج محاسبات 

مقدم  

4-1 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده بي دريچه Si/SiGe/Si  

4-1-1 محاسبات نظري ns برحسب Ls  

4-1-2 محاسبات نظري ns برحسب NA   

4-1-3 محاسبات نظري ns برحسب nc  

4-1-4 محاسبات نظري کليه انرژيهاي دخيل برحسب Ls

4-2 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده دريچه¬دار Si/SiGe/Si 

4-2-1 محاسبات نظري ns برحسب vg 

4-2-2 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب مثبت 

4-2-3 بررسي نمونه ها با nsur متغير و  تابعي خطي از vg با شيب منفي

فصل پنجم : نتايج

5-1مقايسه سد شاتکي با ساختار دورآلاييده دريچه دار p-Si/SiGe/Si 

5-2 بررسي نمودارهاي مربوط به چهار نمونه 

پيوست 

چکيده انگليسي (Abstract)

منابع

امروزه قطعات جديدي در دست تهيه¬اند که از لايه¬هاي نازک متوالي نيمه¬رساناهاي مختلف تشکيل مي شوند . هر لايه داراي ضخامت مشخصي است که به دقت مورد کنترل قرار مي گيرد و از مرتبه 10 نانومتر است . اينها ساختارهاي ناهمگون ناميده مي شوند . خواص الکتروني لايه¬هاي بسيار نازک را مي توان با بررسي ساده¬اي که برخي از اصول اساسي فيزيک کوانتومي را نشان مي دهد به دست آورد [31] . 

در اين فصل ابتدا به بررسي خواص نيمه¬رسانا مي پردازيم سپس با نيمه¬رساناهاي سيليکان و ژرمانيوم آشنا مي شويم و بعد از آن انواع روشهاي رشد رونشستي و ساختارهاي ناهمگون را مورد بررسي قرار  مي دهيم و همچنين ساختارهاي دورآلاييده را بررسي مي کنيم و در آخر نيز به بررسي کاربرد ساختارهاي دورآلاييده و ترانزيستورهاي اثر ميداني مي پردازيم.    

1-1 نيمه¬رسانا:

در مدل الکترون مستقل الکترون¬هاي نوار کاملاً پر هيچ جرياني را حمل نمي¬کنند اين يک روش اساسي براي تشخيص عايق¬ها و فلزات از هم است . در حالت زمينه يک عايق تمام نوارها يا کاملاً پر يا کاملاً خالي هستند اما در حالت زمينه يک فلز حداقل يک نوار به طور جزئي پر است . روش ديگر تشخيص عايق¬ها و فلزات بحث گاف انرژي است گاف انرژي يعني فاصله بين بالاترين نوار پر و پايين¬ترين نوار خالي .

يک جامد با يک گاف انرژي در    عايق خواهد بود. در نتيجه با گرم کردن عايق همچنانکه دماي آن افزايش مي¬يابد بعضي از الکترون¬ها به طور گرمايي تحريک شده و از گاف انرژي به سمت پايين¬ترين نوار غير اشغال گذار مي¬کنند . جاي خالي الکترون¬ها در نوار ظرفيت را حفره مي¬نامند اين حفره¬ها ماهيتي مانند بار مثبت دارند در نتيجه در روند رسانش هم الکترون¬ها و هم حفره¬ها شرکت مي¬کنند . الکترون¬هاي برانگيخته شده در پايين¬ترين قسمت نوار رسانش قرار مي-گيرند در صورتيکه حفره¬ها در بالاترين قسمت نوار ظرفيت واقع مي¬شوند .

جامداتي که در   عايق بوده اما داراي گاف انرژي به اندازه¬اي هستند که برانگيزش گرمايي منجر به مشاهده رسانشي در   شود به عنوان نيمه¬رسانا شناخته مي¬شود .

ساده¬ترين عناصر نيمه رسانا از گروه چهارم جدول تناوبي هستند که به آنها نيمه¬رساناهاي تک عنصري مي¬گويند سيليکون و ژرمانيوم دو عنصر مهم نيمه¬رساناها هستند . علاوه بر عناصر نيمه-رسانا ترکيبات گوناگون نيمه¬رسانا هم وجود دارد . GaAsيک نمونه نيمه¬رساناهاي   است