برچسب: حافظه ram

آنچه در اين فصل مي آموزيد:

كنترل ميزان مصرف حافظه در سيستم

اجراي برنامه هاي ارزيابي و سنجش حافظه

نمايش اطلاعات حافظة ويندوز به كمك برنامة Sandra

آماده شدن براي ارتقا حافظة سيستم 

عيب يابي نصب حافظه در سيستم

حذف كاربرد حافظة بسط يافته و حافظة توسعه يافته در محيط ويندوز 

كنترل مقدار فيزيكي مصرف RAM در محيط ويندوز 

قبل از اينكه Cpu بتواند برنامه‌ها را اجرا كند، دستورات و اطلاعات آن برنامه بايد داخل حافظة Ram كامپيوتر منتقل و مستقر شوند. در اين فصل روش نگهداري اطلاعات در حافظة Ram را مي آموزيد و اينكه چرا اطلاعات داخل حافظة Ram فرار هستند ( يعني با قطع برق يا خاموش شدن كامپيوتر همة اطلاعات موجود در اين حافظه از بين مي روند)، و اينكه چرا انواع حافظة Ram عرضه شده اند. 

بر روي وب يا داخل مجلات و بروشورها و كتابهاي كامپيوتر اغلب توصيه هاي مطالعه مي كنيد كه مقدار لازم حافظة Ram براي سيستم شما را اعلام مي كنند. اغلب اعلام مي شود كه حداقل 126 تا 512 مگابايت حافظة Ram براي عملكرد مناسب يك سيستم لازم است. 

حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  كامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما’ دستیابی پیدا كرد . در مقابل حافظه هایRAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه هایSAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا’ امكان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار كاست ) در صورتیكه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یك از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیكه پردازش داده ها الزاما’ بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی كارت های گرافیك ).اماداده های ذخیره شده در حافظهRAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود. 

مبانی حافظه هایRAM 

حافظه RAM ، یك تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده كه از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشكیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بكارگیری یك خازن و یك ترانزیستور می توان یك سلول  را ایجاد كرد. سلول فوق قادر به نگهداری یك بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را كه یك  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد كرد.عملكرد ترانزیستور مشابه یك سوییچ بوده كه امكان كنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بهمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یك ظرف ( سطل)  بوده كه قادر به نگهداری الكترون ها است . بهمنظور ذخیره سازی مقدار’ یك’  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الكترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یك ظرف مملو از الكترون تخلیه می گردد. بنابراین بهمنظور اینكه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا ‘ كنترل كننده حافظه ‘ قبل از تخلیه شدن خازن، مكلف به شارژ مجدد آن بهمنظور نگهداری مقدار ‘یك’ باشند. بدین منظور كنترل كننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا’ اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یك ثانیه تكرار خواهد شد.علت نامگذاریDRAM بدین دلیل است كه این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تكراری ‘ بازخوانی / بازنویسی اطلاعات’ در این نوع حافظه ها باعث می شود كه زمان تلف و سرعت حافظه كند گردد. 

سلول های حافظه  بر روی یك تراشه  سیلیكون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط كلمات) تشكیل می گردند. نقطه تلاقی یك سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است . 

حافظه هایDRAM با ارسال یك شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد كه خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندنSense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیكه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار ‘یك’ خوانده شده و در غیراینصورت مقدار ‘صفر’ خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار كوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یك میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای كه دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد كشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد. 

حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترين نوع حافظه در دنيای  کامپيوتر است . روش دستيابی به اين نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقيما’ دستيابی پيدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخيره و صرفا’ امکان دستيابی به آنها بصورت ترتيبی وجود خواهد داشت. ( نظير نوار کاست ) در صورتيکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر يک از سلول های حافظه به ترتيب بررسی شده تا داده مورد نظر پيدا گردد. حافظه های  SAM در موارديکه پردازش داده ها الزاما’ بصورت ترتيبی خواهد بود مفيد می باشند ( نظير حافظه موجود بر روی کارت های گرافيک ). داده های ذخيره شده در حافظه RAM با هر اولويت دلخواه قابل دستيابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM 

حافظه  RAM ، يک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از ميليون ها ترانزيستور و خازن تشکيل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگيری يک خازن و يک ترانزيستور می توان يک سلول  را ايجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری يک بيت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بيت را که يک و يا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزيستور مشابه يک سوييچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن و يا تغيير وضعيت مربوط به آن ، فراهم می نمايد.خازن مشابه يک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخيره سازی مقدار’ يک’  در حافظه، ظرف فوق می بايست از الکترونها پر گردد. برای ذخيره سازی مقدار صفر، می بايست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدين ترتيب پس از گذشت چندين ميلی ثانيه يک ظرف مملو از الکترون تخليه می گردد. بنابراين بمنظور اينکه حافظه بصورت پويا اطلاعات  خود را نگهداری نمايد ، می بايست پردازنده و يا ‘ کنترل کننده حافظه ‘ قبل از تخليه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار ‘يک’ باشند.بدين منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا’ اطلاعات را بازنويسی می نمايد.عمليات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در يک ثانيه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدين دليل است که اين نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پويا خواهند بود. فرآيند تکراری ‘ بازخوانی / بازنويسی اطلاعات’ در اين نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی يک تراشه  سيليکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بيت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکيل می گردند. نقطه تلاقی يک سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است .